Эффект, который нужно учитывать для 90 нм и 65 нм на уровне библиотек для PMOS:

http://en.wikipedia.org/wiki/NBTI 

На что влияет:

Propagation delay (увеличивается)
Rise/Fall times (изменяется)
Duty cycle of signals (изменяется)
Setup and hold times для latch/flip-flop (изменяется)
Current consumption (уменьшается)
Leakage  (изменяется)
Switching threshold (изменяется)
Drive currents (уменьшается)
Offset voltage for a differential input if the voltages are very asymmetrical (увеличивается)
Operating points in an analog circuit (изменяется)
SNM в SRAM ячейчах (уменьшается)